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但是pmos没有nmos普及的原因是pmos的导通压降大，效率低，同态电阻比nmos大。同样功率的Pmos管和NMOS管哪个贵？(原因是pmos的载流子是空穴和一些掩膜差异)，所以pmos的电流比较小，增强型和耗尽型mos晶体管有什么区别？mos和cmos有什么区别？MOS(金属氧化物半导体场效应晶体管)分为PMOS和NMOS，两者的互补组合是CMOS。

纠正NMOS的特点。当Vgs大于一定值时就会导通，适用于漏极接地(低端驱动)的情况，只要栅极电压达到4V或10V即可。NMOS的电流Id必须从D流向S，PMOS的电流必须从S流向D，一般RDS(ON)很小，D和S导通时的电压几乎相同。“G端电压比D端高一个起始电压”实际上就是G端电压比D端高一个起始电压，这是N沟道MOS晶体管导通的必要条件。

不要用，电容。但是pmos之所以没有nmos普及，是因为它的导通压降大，效率低，同态电阻比NMOS大，输入电压低，还有成本问题。所以开关电源的主开关管很少用pmos做开关，也就是说相当于开关闭合。NMOS的特点是当Vgs大于一定值时就会导通，适用于源极接地(低端驱动)的情况，只要栅极电压达到4V或10V即可。

阈值电压与以下因素有关:栅电极材料类型、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、栅氧化层中的电荷密度等。一般工艺中，N/PMOS的栅氧化层厚度tox相同，栅电极材料类型相同，栅氧化层中的电荷密度相同，但衬底浓度不同。NMOS直接制作在Psub外延Pepi上。PMOS在Pepi的NWELL上，所以NWELL的杂志浓度比Pepi的高。衬底浓度越高，对应MOS管的阈值电压越大，所以PMOS的阈值电压一般高于NMOS。

1。根据电流的方向，可以判断NMOS管是从管中流出的。2.根据电流的方向，可以判断PMOS管流入管内。3.也可以从电压的高低来判断。如果D在上面，S在下面，说明D的端电压比S的端电压高，管是NMOS管。反之，S在上，D在下，S的端电压高于D的端电压，说明是PMOS管。

使用万用表测量分辨率。可以了解一下用万用表判断三极管和MOS管的方法。学会这个方法后，你就可以用万用表在一堆三极管中判断出双极三极管、PMOS管和NMOS管是谁了。最简单的就是找个老手一眼就能认出来。万用表调到二极管导通档，红色表笔接产品最右边的管脚，黑色表笔接产品中间的管脚，最左边的管脚不接，悬空就好。如果此时万用表有导通值，则是NMOS管；

cmos是一种互补金属氧化物半导体(cmos)，是一种集成电路工艺，可用于在硅片上制作PMOS(PchannelMOSFET)和NMOS(NchannelMOSFET)器件。因为PMOS和NMOS在特性上是互补的，所以被称为CMOS。

CMOS的优点是只在晶体管需要开关时才消耗能量，所以省电发热少。NMOS/PMOS/CMOS差分的英文全称是:NMentalOxideSemiconductor。MetalOxideSemIConductor的意思是金属氧化物半导体，具有这种结构的晶体管称为MOS晶体管。有p型MOS晶体管和n型MOS晶体管。

增强:当栅极和衬底之间没有施加电压时，栅极下没有沟道。也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。耗尽型:当栅极和衬底之间没有施加电压时，栅极下面已经有一个沟道了。也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。通过改变有源区的掺杂浓度、控制栅绝缘层的厚度和选择具有一定功函数的栅材料，可以制造增强型或耗尽型MOSFET。

理论上P管贵的主要原因是N管好用多了。p贵很多，主要是两者结构差异带来的工艺影响，使得大电流的pmos制作相对困难，所以成本相对较高，我个人估计差了差不多两三倍。(原因是pmos的载流子是空穴和一些掩膜差异)，所以pmos的电流比较小。

MOS(金属氧化物半导体场效应晶体管)分为PMOS和NMOS，两者的互补组合是CMOS，可以使功耗更低。MOS，或金属氧化物半导体场效应晶体管，是一个统称。和普通晶体管一样，由于制作材料和工艺的不同，MOS也分为PMOS和NMOS两种型号。CMOS是一种互补金属氧化物半导体。Mos是“场效应晶体管”的简称；比如LiveMOSLiveMOS光敏器件，既有全帧(FFT)CCD的高质量画质，又有CMOS的低功耗优势。

英语的起源与发展(1)英语是一种西日耳曼语，最早由中世纪的英国使用，因其拥有广阔的殖民地而成为世界上使用最广泛的语言。盎格鲁部落是英国人的祖先，是后来迁移到大不列颠的日耳曼部落之一，称为英格兰，(2)从17世纪开始，现代英语在英美的广泛影响下，已经遍布世界各地。

NMOS CMOS PMOS