内存超频时参数默认为trfc不变
CL是column选中到dqs出现在io上的latency,trfc是autorefreshcycle的时间,这个要根据每个die的density来调整的。spec里面搜一下trfc就行，内存超频时,trfc是一个重要的参数,它代表内存行命令间刷新的延迟时间，调整trfc的值可以影响内存的性能和稳定性。
内存trc与高低没关系,适合才是好的tRC控制内存周期时间,而tRFC代表刷新指令间隔时间,比如说延时是3-3-3-8tRC=tRAS tRP,tRAS8代表时钟周期。tRC控制内存周期时间,而tRFC代表刷新指令间隔时间。比如说你延时是3-3-3-8tRC=tRAS tRP。tRAS8代表时钟周期,tRP3决定激活延迟,那你的tRC是11。
tRC控制内存周期时间,而tRFC代表刷新指令间隔时间,比如说延时是3-3-3-8tRC=tRAS tRP,tRAS8代表时钟周期,tRP3决定激活延迟。1、DDR4-2933是指内存频率,后面的14-16-16-16-34是指内存时序的参数。2、这5个数字是内存时序重要参数:CL、tRCD、tRP、tRAS、tRFC。
无法通过线头来区分充电状态。因为三星s20ultra使用了反向充电技术,即手机可以通过线头反向充电给其它设备,所以线头的两端都可以用来充电，测试内存为宇瞻的突击队CommandoDDR42400内存(4GX4)套装,内存的规格为4GBUNBPC4-19200CL16-16-16-36,其中PC4代表台式机DDR4。
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